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igbt模塊的特點說明

日期:2022-04-19 15:59
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摘要:
    igbt模塊是由IGBT與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產品,具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點。

   在IGBT使用過程中,可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小,從而實現對IGBT導通/關斷/阻斷狀態的控制。

    1)當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時,MOSFET內溝道消失,IGBT呈關斷狀態。

    2)當集-射極電壓UCE<0時,J3的PN結處于反偏,IGBT呈反向阻斷狀態。

    3)當集-射極電壓UCE>0時,分兩種情況:

     若柵-射極電壓UGE<Uth,溝道不能形成,IGBT呈正向阻斷狀態。

     若柵-射極電壓UGE>Uth ,柵極溝道形成,IGBT呈導通狀態(正常工作)。此時,空穴從P+區注入到N基區進行電導調制,減少N基區電阻RN的值,使IGBT通態壓降降低。

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